Transistors > MOSFETs > Power MOSFETs

Code Variant Description Manufacturer U.M. Stock Min. order Delivery (days) Price
wihout VAT
Q.ty
VNP20N07   Power Transistor, MOSFET, with N-Channel, autoprotected, 70V, 20A, 83W, 0,05R. Case: TO220.   STMicroelectronics Buc 1 7
1+ 8,0366 RON
5+ 7,5640 RON
25+ 7,0911 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare: | Serie:VNP | Capsula:TO220
Producător:STMicroelectronics | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):90ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):430ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:70V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:20A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,050Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):0,8V | Putere maximă disipată, Ptot: |
VNP5N07   Power Transistor, MOSFET, with N-Channel, autoprotected, 70V, 5A, 31W, 0,2R. Case: TO220.   STMicroelectronics Buc 1 7
1+ 4,4120 RON
5+ 4,1526 RON
25+ 3,8929 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare: | Serie:VNP | Capsula:TO220
Producător:STMicroelectronics | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):50ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):150ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:70V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:5,0A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,200Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):0,8V | Putere maximă disipată, Ptot: |
VNP35N07   Power Transistor, MOSFET, with N-Channel, autoprotected, 70V, 35A, 125W, 0,028R. Case: TO220.   STMicroelectronics Buc 1 7
1+ 9,3758 RON
5+ 8,8245 RON
25+ 8,2728 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare: | Serie:VNP | Capsula:TO220
Producător:STMicroelectronics | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):100ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):650ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:70V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:35A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,028Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):0,8V | Putere maximă disipată, Ptot: |
BUZ11   Power Transistor, MOSFET, with N-Channel, 50V, 30A, 75W, 0,04R. Case: TO220AB.   Fairchild Semiconductor Buc 1 7
1+ 2,1668 RON
5+ 2,0394 RON
25+ 1,9119 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare: | Serie:BUZ | Capsula:TO220AB
Producător:Fairchild Semiconductor | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):30ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):180ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:50V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:30A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,040Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):2,1V | Putere maximă disipată, Ptot: |
SPP20N60S5   Power Transistor, MOSFET, with N-Channel, 600V, 20A, 208W, 0,19R. Case: TO220.   Infineon Technologies Buc 1 7
1+ 17,5701 RON
5+ 16,5370 RON
25+ 15,5030 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare: | Serie:SPP | Capsula:TO220
Producător:Infineon Technologies | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):120ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):140ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:600V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:20A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,190Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):3,5V | Putere maximă disipată, Ptot: |
SPP06N80C3   Power Transistor, MOSFET, with P-Channel, 800V, 6A, 83W, 0,9R. Case: TO220.   Infineon Technologies Buc 1 7
1+ 6,1454 RON
5+ 5,7841 RON
25+ 5,4224 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare: | Serie:SPP | Capsula:TO220
Producător:Infineon Technologies | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):25ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):72ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:800V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:6,0A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,900Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):2,1V | Putere maximă disipată, Ptot: |
SPA08N80C3   Power Transistor, MOSFET, with N-Channel, 800V, 8A, 40W, 0,65R. Case: TO220-Fullpak.   Infineon Technologies Buc 1 7
1+ 8,0366 RON
5+ 7,5640 RON
25+ 7,0911 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare: | Serie:SPA | Capsula:TO220-Fullpak
Producător:Infineon Technologies | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):25ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):65ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:800V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:8,0A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,650Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):2,1V | Putere maximă disipată, Ptot: |
VNP10N07   Power Transistor, MOSFET, with N-Channel, autoprotected, 70V, 10A, 50W, 0,1R. Case: TO220.   STMicroelectronics Buc 1 7
1+ 4,3332 RON
5+ 4,0784 RON
25+ 3,8234 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare: | Serie:VNP | Capsula:TO220
Producător:STMicroelectronics | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):50ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):230ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:70V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:10A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,100Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):0,8V | Putere maximă disipată, Ptot: |
SPP80P06PH   Power Transistor, MOSFET, with P-Channel, 60V, 80A, 340W, 0,023R. Case: TO220.   Infineon Technologies Buc 1 7
1+ 10,4791 RON
5+ 9,8629 RON
25+ 9,2462 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare: | Serie:SPP | Capsula:TO220
Producător:Infineon Technologies | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):24ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):56ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:60V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:80A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,023Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):2,1V | Putere maximă disipată, Ptot: |
TSM1NB60CP   N-Ch 600V 1A 39W 10R TO252   Buc
25
1 7
1+ 1,0402 RON
5+ 0,9790 RON
25+ 0,9178 RON
Characteristic
  12345678910
638 products
Next page »