Semiconductoare > Tranzistoare > J-FET > J-FET

« Pagina precedentă

Tranzistor de semnal mic J-FET, cu canal de tip N. Componentă SMD, 25V, 8 ÷ 20mA, 0,225W. Capsula: SOT23.

specificații tehnice

RoHSCod comandă : MMBF5486 | Producător : Fairchild Semiconductor; NXP

Tranzistor de semnal mic J-FET, cu canal de tip N. Componentă SMD, 25V, 8 ÷ 20mA, 0,225W. Capsula: SOT23.

Pret unitar
fara TVA :

5+ 0,4847 RON
50+ 0,4562 RON
100+ 0,4277 RON

Caracteristică  
TipT57 Tranzistoare J-FET
Stil prezentare
Stil prezentare
Bandă
Serie MMBF
Capsula SOT23
Producător Fairchild Semiconductor; NXP
Curent de colector continuu, maxim, IC
Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON)
Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF)
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO
Frecvenţa de tranziţie, fT
Factor de amplificare, de curent continuu, hFE
Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls
Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th)
Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS
Curent de drenă continuu, maxim, ID 8 ÷ 20mA
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON)
Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th)
Putere maximă disipată, Ptot 0,225W

Tranzistor de semnal mic J-FET (Tranzistor cu efect de câmp, cu joncţiune de siliciu), şi canal de tip N. Componentă SMD, 25V, 8 ÷ 20mA, 0,225W. Tensiune Drenă-Grilă maximă (VDG): +25V. Tensiune Grilă-Sursă maximă (VGS): -25V. Capsula: SOT23.