Semiconductoare > Tranzistoare > IGBT > IGBTs, Modules
Modul IGBT. 1200V, 180A. Capsula: Y3-DCB. Conţine un tranzistor de putere IGBT, prevăzut cu diodă antiparalel + o diodă ultrarapidă cu catodul liber şi anodul conectat la colectorul tranzistorului.
RoHSCod comandă : MID150-12A4 | Producător : IXYS Corporation
Modul IGBT. 1200V, 180A. Capsula: Y3-DCB. Conţine un tranzistor de putere IGBT, prevăzut cu diodă antiparalel + o diodă ultrarapidă cu catodul liber şi anodul conectat la colectorul tranzistorului.
Pret unitar
fara TVA :
135,9511 RON
- x
-
| Caracteristică | |
|---|---|
| TipT57 | Module IGBT |
|
Stil prezentare
Stil prezentare
|
|
| Serie | MID |
| Capsula | Y3-DCB |
| Producător | IXYS Corporation |
| Curent de colector continuu, maxim, IC | 180A |
| Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON) | 100ns |
| Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF) | 500ns |
| Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO | |
| Frecvenţa de tranziţie, fT | |
| Factor de amplificare, de curent continuu, hFE | |
| Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES | 1200V |
| Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls | 240A |
| Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th) | 4,5V |
| Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS | |
| Curent de drenă continuu, maxim, ID | |
| Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON) | |
| Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th) | |
| Putere maximă disipată, Ptot | 760W |
Modul IGBT. 1200V, 180A. Capsula: Y3-DCB. Conţine un tranzistor de putere IGBT (Tranzistor bipolar cu poartă izolată), prevăzut cu diodă antiparalel + o diodă ultrarapidă cu catodul liber şi anodul conectat la colectorul tranzistorului. Dioda antiparalel este de tip FRED (diodă epitaxială cu revenire rapidă). Tranzistorul IGBT este un dispozitiv care are caracteristicile de intrare de tip MOSFET (impedanţă de intrare mare) şi caracteristicile de ieşire ale tranzistoarelor bipolare (capacitate ridicată de a purta curenţi mari).